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第34章 不抢就换（第1页）

陈进一想到张云似乎并非技术工程师的身份，还是耐心的解释了：

“这台ssa60020采用的是193n氟化氩深紫外光源。

它的曝光波长达到了28纳米，采用沉浸式光刻技术。

配合我们自研的双工作台系统，每小时能完成120片晶圆的曝光作业，套刻精度控制在3纳米以内。

它的光源系统用了我们自己研发的准分子激光器，稳定性比进口设备提升了15。

而且重点零部件国产化率超过80。

当然，和国际顶尖的5纳米光刻机比，还有差距。

但这已经是我们目前能拿出的最好成果了。

目前，我们还在集中攻克7纳米制程的量产问题。”

陈进一的话有些无奈，龙国的半导体行业，尤其是光刻机技术还是太落后了些。

谁都知道半导体领域想要突破，核心中的核心就是光刻机。

如今龙国大部分高端芯片，都需要依赖进口生产。

而且存在技术专利的问题，每年都要花上一大笔授权费用。

眼前这台机子已经是好几年前的产物了，光是7纳米级别的生产就已经卡了他们许多年。

张云听完后，紧接着问道：

“它在七纳米以下的制程上有什么问题吗？”

陈进一没想到他会直接问出这个问题，愣了一下才回答：

“问题还不少，主要是在多重曝光的叠加误差上。

duv的波长是193n，从根本上限制了分辨率的理论上限。

目前28纳米波长要实现7纳米制程，需要进行4次曝光。

但每次曝光的定位误差会累积，目前最多只能稳定在9纳米左右，离量产要求的7纳米还有距离。”

严正行听到这里，叹了口气，心里摇了摇头。

这就是他当初为什么离开龙国的原因了。

和世界顶尖的光刻机相差数代的技术，要怎么靠努力去追赶？

但靠张云可以呀！

张云等人此次前来的目的，自然是为了解决芯片生产问题，使其能够在战备状态下提供应有的支持。

不过张云还没有天真到，认为能花几个月时间就造出一台超越euv光刻机的东西。

虽然张云的脑中确实有全套光刻机的生产技术。

但还是那个问题，技术消化也需要时间。

即使拥有全套

euv技术图纸和原理知识，并得到国家最高权力的全力支持。

想在两、三个月内从零打造出一台可用的euv光刻机，仍然是近乎不可能完成的任务。

原因在于euv光刻机的制造不仅是技术问题，也是极端精密制造，全球顶级供应链整合和复杂系统工程的巅峰体现。

老爱曾经说过，逻辑只能让你从a到b，但想象力可以带你到任何地方。

三个月，你就想走在世界前列，这个想象力需要带着物理课本一起飞。